项目提出吸附反应外延（ARE）这一全新的二维材料生长机理，实现零热应力、大面积、原子层级精确控制的薄膜生长。研发工艺装备，用于大面积、高性能二维半导体材料和超薄高介电材料制备，支撑下一代集成电路在新赛道研发，助力我国芯片制造领域摆脱技术封锁。

• 提出在不同温度分别实现吸附、反应和晶化的生长机理，解决单层/少层二维材料生长过程厚度不可控问题

• 研发8英寸ARE设备，采用红外快速加热退火设计实现了精准控温

• 当前已开发样机，实现原理验证。

吸附反应外延设备样机