研发出近室温热电性能优异的宽带隙硒化锡单晶材料及其微型热电制冷（TEC）芯片，颠覆了传统的碲化铋TEC芯片，其功耗比碲化铋降低了40%以上，可靠性大幅提升，成本降低15%以上。

• 颠覆“近室温热电制冷材料必须具备窄带隙”的传统理论认知，首次发现热电性能优异的宽带隙硒化锡单晶材料

• 首创国际领先的宽带隙硒化锡单晶热电材料，具有近室温热电优值高、导电性好、强度高、残余应力小、成本低等综合优异特性

• 用于5G光通信，全面优于传统碲化铋热电制冷材料与TEC芯片，大幅提高芯片可靠性和制冷性能，达到国际领先水平

• 该项目已完成材料体系研究，TEC芯片正在工程化验证阶段。

热电制冷模型

5G光通信用微型TEC芯片