射频滤波器是移动通讯设备的关键器件，是手机射频前端中价值占比最大的器件之一。当前主流技术采用的多晶氮化铝(AIN)材料机电耦合系数低，滤波器带宽不足。本项目通过装备-材料-芯片全链条自主创新，实现了新型单晶高压电系数ε-Ga2O3半导体材料及全新一代通信射频核心器件的制备，其机电耦合系数约为AlN的4倍，所实现的滤波器带宽达AlN的4倍。从晶圆材料源头彻底实现射频滤波器件的国产化，实现自主可控的新一代通信射频核心技术。本项目由福建晶旭半导体科技公司牵头研发。

材料-芯片自主创新

自研MOCVD装备