晶锭切片是碳化硅产业链由6英寸转8英寸的主要堵点。当前主流线锯切片技术存在损耗大、得片率低、速度慢的痛点，常规单脉冲激光切片技术存在表面粗糙度高的问题。本项目首创双脉冲高效低损耗切片技术，不仅避免了线锯切口损失，而且通过精确调控激光改质层裂纹扩展方向，可将切片后表面粗糙度由≥80 μm降至≤50 μm。有望大幅提高碳化硅衬底产能并降低成本，提升我国在全球碳化硅产业链的核心竞争力。本项目由北京晶飞半导体科技有限公司牵头研发。

8寸SiC激光切片样品

第一代8寸SiC激光切片工程样机