碳化硅（SiC）衬底是轨道交通、智能电网、新能源等电力电子领域功率半导体器件的关键基础材料。主流物理气相传输法制备技术存在衬底生长缺陷多，良率低，晶型单一等问题。本项目采用液相生长方法，创新性地开发熔液界面能调控工艺，在全世界范围内首次实现了高质量、大尺寸N型3C-SiC和P型4H-SiC制备，大幅提高电力电子领域能源转换效率及系统可靠性，有力支撑我国半导体功率器件的自主创新及高质量发展。本项目由北京晶格领域半导体有限公司牵头研发。

(a) 6英寸3C-SiC晶锭和晶圆 (b) 6英寸 4H-SiC晶圆